直拉法晶体生长系统作为半导体行业的重要组成部分，具备以下显著特点：
1. 精确性： 通过精密仪器制造的驱动单元，实现可重复的工艺控制，生产出最佳品质的晶体。
2. 坚固性：炉体部件采用高质量不锈钢制成，内表面经过高精度抛光，确保耐用性和洁净等级的最高要求。
3. 安全性：高度自动化和额外增设的安全系统，确保在最先进的生产环境中的安全使用中国机械网okmao.com。
4. 定制化：基于多年的开发经验和专业知识，提供多种部件更换和组合方式，根据不同客户的特定需求提供最佳解决方案。
5. 支持与服务：提供直接联系专家进行“点对点”沟通，提供系统备件服务以及系统调整和优化服务。
（图片来源于PVA TePla官网）
技术突破的起源
偶然将籽晶意外浸入熔融锡中，发现了目前微电子领域最重要的晶体生长工艺。柴可拉斯基法（直拉法）以扬·柴可拉斯基的名字命名，是为工业化生产而开发的技术。目前用于生产直径达300毫米、重量为500公斤的硅晶体。在温度达到约1410℃时，高纯硅作为半导体材料在石英坩埚中熔化，通过控制程序拉出单晶硅锭。
挑战与技术极限
现代微电子行业在成本保持不变的前提下，追求更高的集成密度和更小的结构体积。通过对拉晶工艺的精确调整和控制，可以调整缺陷分布，挑战系统制造商突破技术极限。
PVA TePla公司的技术研发实验室
PVA TePla公司拥有独立自主的技术研发实验室，与研究机构紧密合作，对系统和工艺研发的最新课题进行研究、应用和测试。该研发模式在直拉法工艺开发及其他产品线上得以延续。
直拉法晶体生长系统系列
CGS1218单晶炉
特点： 拥有组合式炉室，高精度的晶体轴配置，线性可调和可重复的提拉速度。
数据概览：
最大晶棒直径：12-18英寸
晶棒长度：最大2,100毫米
装料容量：300公斤-450公斤
热场：32–36英寸
（CGS1218单晶炉，图片来源于PVA TePla官网）
SC28单晶炉
特点： 灵活配置，满足特殊要求，紧凑型设计，适用于200-300毫米（8-12英寸）单晶硅的工业生产。
数据概览：
最大晶棒直径：8-12英寸
晶棒长度：长达3,600毫米
装料容量：高达450公斤
热场：28英寸/32英寸
（SC28单晶炉，图片来源于PVA TePla公司官网）
SC24单晶炉
特点： 模块化设计，低能耗优化，适用于单晶硅晶体的工业生产。
数据概览：
最大晶棒直径：最长230毫米
晶棒长度：最长2,900毫米
装料容量：160公斤-220公斤
热场：24英寸
（SC24单晶炉，图片来源于PVA TePla公司官网）
CGS Lab
特点： 针对研究所和实验室设计，紧凑型设计，适用于最多5公斤的加料量和生长直径为100毫米、长度为300毫米的硅锭。
数据概览：
最大晶棒直径：4英寸
晶棒长度：最长300毫米
装料容量：高达5公斤
热场：10英寸
（直拉法晶体生长系统CGS Lab，图片来源于PVA TePla公司官网）
