机器人吸尘器经常会碰到不太高的门门槛。电流流过的晶体管中也存在类似的阈值电压。只要电压超过阈值电压，晶体管的输出阻抗就会急剧降低，电流很容易流动，从而改善其性能。
最近，由Yong Young Noh教授和博士候选人朱慧慧（Huihui Zhu）和刘敖（Au Liu）（化学工程系）领导的POSTECH研究团队与三星显示器（Samsung Display）合作，开发了一种阈值电压为0 V的p沟道钙钛矿薄膜晶体管（TFT）。
尽管金属卤化物钙钛矿在各种光电器件中得到发展，但由于离子迁移和大的有机间隔隔离，采用最先进钙钛矿通道的高性能晶体管的进展受到限制
在这项研究中，研究团队通过混合卤化物阴离子（碘溴氯）来构建甲基铵锡碘（MASnI3）半导体层，以提高晶体管的稳定性。使用该半导体层制作的器件显示出高性能和良好的稳定性，无滞后现象。
在实验中，TFT实现了20cm2V-1s-1的高空穴迁移率和1000万的开/关电流比，也达到了0 V的阈值电压。阈值电压为0 V的P沟道钙钛矿晶体管是世界上第一个这样的情况。通过将这种材料制成溶液，研究人员还可以印刷晶体管，降低其制造成本。
通过这项研究，研究团队证明，导致钙钛矿TFT性能下降的滞后的主要原因是少数载流子陷阱，而不是离子迁移。通过降低阈值电压，电子和空穴的运动不会受到干扰，从而使电流平稳流动。
此外，研究团队成功地将钙钛矿TFT与商业化的n沟道6铟镓氧化锌（IGZO）TFT集成在一块芯片上，通过电路印刷方法构建高增益互补逆变器。
这项研究作为一种适用于开发OLED显示驱动电路、垂直堆叠器件的P通道晶体管以及用于AI计算的神经形态计算的技术，正在引起学术界的关注。