Navitas Semiconductor宣布推出采用 GaNSense 技术的 GaNFast 功率 IC。GaNSense 技术集成了关键的、实时的、自主的传感和保护电路，进一步提高了 Navitas 行业领先的可靠性和稳健性，同时增加了 Navitas GaN IC 技术的节能和快速充电优势。
氮化镓 (GaN ) 是一种下一代半导体技术，其运行速度比传统硅快 20 倍，并且能够以一半的尺寸和重量实现高达 3 倍的功率和 3 倍的充电速度中国机械网okmao.com。Navitas 的 GaNFast 电源 IC 集成了 GaN 电源和驱动器以及保护和控制，以提供简单、小巧、快速和高效的性能。
GaNSense 技术集成了对包括电流和温度在内的系统参数的实时、准确和快速感测。该技术可实现正在申请专利的无损电流感测功能，与前几代产品相比，可额外提高 10% 的节能效果，并进一步减少外部组件数量并缩小系统尺寸。此外，如果 GaN IC 识别出潜在危险的系统状况，该 IC 旨在快速过渡到逐周期睡眠状态，从而保护设备和周围系统。GaNSense 还集成了自主待机功耗功能，可在 GaN IC 处于空闲模式时自动降低待机功耗，有助于进一步降低功耗，
凭借业界最严格的电流测量精度和 GaNFast 响应时间，与之前的同类最佳解决方案相比，GaNSense 技术意味着可将危险的过电流尖峰减少 50%，并将处于“危险区域”的时间减少 50%。GaNFast 单片集成提供可靠、无故障的操作，没有“振铃”，以提高系统可靠性。
采用 GaNSense 技术的 GaN 功率 IC 新系列涵盖 10 种产品，它们都具有 GaN 功率、GaN 驱动、控制和保护的核心、关键 GaNFast 集成。所有额定电压均为 650V/800V，具有 2kV ESD 保护，RDS(ON) 范围为 120 至 450 mOhms，采用 5×6 和 6×8 毫米 PQFN 封装……带有 GaNSense 保护电路和无损耗电流检测。该第三代 GaN IC 系列针对现代电源转换拓扑进行了优化，包括高频准谐振 (HFQR) 反激、有源钳位反激 (ACF) 和 PFC 升压，这些拓扑结构广受欢迎，可提供最快、最高效和移动和消费市场中最小的充电器和适配器。
目标市场包括用于智能手机和笔记本电脑的快速充电器，估计 GaN 潜力为每年 2B 美元，以及另一个 2B 美元/年的消费市场，包括一体机、电视、家庭网络和自动化。GaNSense 技术已经用于联想的 YOGA 65W 笔记本电脑充电器。
迄今为止，已出货超过 3000 万个 GaNFast 功率 IC，实现了超过 1160 亿个器件工作小时——GaN 现场故障报告为零。与传统硅芯片相比，每个出货的 GaNFast 电源 IC 的碳足迹减少了 4-10 倍，并减少了 4 公斤的二氧化碳排放。
采用 GaNSense 技术的 GaNFast 电源 IC 已投入量产，可立即供货。新 GaNSense 技术的完整技术细节，包括数据表、资格数据、应用笔记和样品，可根据保密协议向客户合作伙伴提供。