三星电子（Samsung Electronics）计划在2021年进行DRAM和NAND存储器创新，以帮助其在半导体生产中保持全球第二的位置。
该公司上周宣布了2020年第四季度的收益，并表示将加速向1z纳米DRAM和第六代V-NAND的迁移，以“增强成本竞争力”。
在2021年下半年，它还计划推出下一代产品，例如世界上第一个基于多步极紫外光刻（EUV）的1a-nm DRAM和第七代V-NAND中国机械网okmao.com。此外，该公司的代工业务旨在扩大其5 nm EUV工艺的批量生产。
该公司还宣布其半导体业务在第四季度创造了18.18万亿韩元（约合163亿美元）的收入，高于2019年第四季度的16.79万亿韩元。
对于包括半导体，移动，显示和消费电子产品在内的所有业务，三星报告称2020年收入为237万亿韩元（2,122亿美元），比2019年增长2.8％，利润为36万亿韩元（322亿美元）。
由于存储器价格疲软以及韩元升值带来的负面影响，第四季度整体业务收入较第三季度下降8％。
2020年，三星在资本支出上花费了38.5万亿韩元（345亿美元），其中32.9万亿韩元用于半导体，包括存储容量扩展和先进工艺技术的引入。其余的用于扩展5纳米EUV设施。
三星预计第一季度业绩将较弱，并表示内存市场将在2021年上半年恢复。
竞争对手SK Hynix和美光（Micron）最近也宣布了内存创新。分析人士指出，随着服务器，5G，电动汽车和辅助驾驶技术的进步，内存和存储芯片的重要性正在稳步提高。
三星股价周二报84,600韩元（75.81美元）。在过去六个月中，他们在1月11日达到了91,000韩元（合81.55美元）的高位。