X-FAB Silicon Foundries刚刚推出了最新一代的雪崩光电二极管（APD）和单光子雪崩二极管（SPAD）器件。
X-FAB凭借其经过验证的符合汽车行业标准的180 nm XH018高压工艺，得益于创新的架构修改，与该公司的早期设备（最早于2019年中期首次宣布）相比，其性能得到了显着改善，从而受益匪浅。 中国机械网okmao.com。因此，它们可用于涉及光照水平挑战的情况。但是，保留了与上一代的足迹兼容性。这意味着可以确保简单方便的升级途径，而无需其他工程工作。
性能提升最明显的领域之一是与光子检测概率（PDP）有关。在405 nm处入射光的PDP数值为42％，而在近红外（NIR）频率范围内的光谱进一步提高时，改善幅度高达150％，在850 nm处显示5％的PDP。已实现0.9％的后脉冲概率，与第一代设备相比，降低了70％。暗计数率（DCR）仅为13个计数/秒/微米。现在可以支持的填充因子（有效的传感器表面积的百分比）几乎翻了一番，达到33％。
由于击穿电压特性可能因器件而异，因此需要进行准确的确定以确保保持良好的APD / SPAD性能。因此，X-FAB集成了一个触发二极管–无需外部光源即可进行精确，实时的片上击穿电压检测。包括有源淬灭电路，通过该电路可以加快SPAD器件的恢复速度，从而为进一步的光检测做好准备。新的SPAD由于其尺寸的灵活性（在宽度和长度方面）提供了更好的应用适应性。SPAD和APD设备的完整设备模型支持首次使用权的设计。该模型包括新的内置触发二极管的性能。