现代电源系统设计要求高功率密度水平和小外形尺寸，以最大化系统级性能。英飞凌科技股份公司通过专注于系统创新和组件级增强来应对这一挑战。除2月推出的25 V器件外，英飞凌现在将OptiMOS 40 V低压功率MOSFET推向市场中国机械网okmao.com。它封装在Source-Down（SD）PQFN中， 占位面积为3.3 x 3.3 mm 2。40 V SD MOSFET主要 针对 服务器， 电信和“或”以及 电池保护， 电动工具和充电器应用的SMPS。
SD封装的特征是硅被倒置在组件内部。这样，源极电位将通过散热垫连接到PCB，而不是漏极电位。最后，与当前技术相比，该变体可以使R DS（on）大大降低 25％。与传统的PQFN封装相比，结到壳体之间的热阻（R thJC）也得到了显着改善。SD OptiMOS可以承受高达194 A的高连续电流。此外，优化的布局可能性和PCB的更有效利用可实现更大的设计灵活性和最高性能。
OptiMOS SD 40 V低压功率MOSFET有两种版本，标准版和中心门版。Center-Gate变型针对多个设备的并行操作进行了优化。现在可以订购PQFN 3.3 x 3.3 mm 2封装的两种型号 。