GaN Systems 和ON Semiconductor宣布推出全球最高功率密度的300瓦AC适配器参考设计，该产品使用GaN Systems的650 V，15 A GaN E-HEMT和多个安森美半导体控制器和驱动器IC：NCP51820， NCP13992， NCP1616和 NCP4306。
完整的系统 参考设计 具有高度的通用性和低成本，使设计人员可以轻松开发适用于HDTV电源，游戏笔记本电脑和游戏机适配器以及工业用超小型电源的各种应用的超高功率密度适配器，并将其推向市场。和医疗设备中国机械网okmao.com。
该套件和应用笔记提供了详细的技术信息，包括原理图，PCB布局，BOM（材料清单）文件以及EMI和效率数据。该套件硬件具有完整的PFC，LLC和次级级，并具有符合CoC T2基准的高效同步PFC，高效能的低成本2层设计以及在340 W峰值时具有19 V输出的通用输入。使用这种基于GaN的参考设计的系统设计人员可以达到高达32瓦/立方英寸的功率密度。
“快速开关GaN与我们先进的控制器和驱动器有效协作，优化了系统设计以实现高功率密度，消除了设计障碍，并使设计人员能够利用GaN E-HEMT提供的众多优势，”营销总监Ryan Zahn说。在安森美半导体。“随着人们对GaN的关注度提高和采用，我们期待与GaN Systems继续合作，以支持并满足许多行业中出现的新功率要求。”