柏林费迪南德·布劳恩研究所（FBH）的研究人员已成功制造出第一批在紫外线光谱范围（UVB）发射的微型LED原型。发射波长为310纳米（nm）的微型LED具有发射面积小、直径低至1.5微米的特点(碌m） 。这比传统的紫外线LED小数百到数千倍中国机械网okmao.com。微型LED可以紧密封装，间距可降至2碌在芯片上形成二维阵列，形成高分辨率UVB发射区域。
紫外光微发光二极管既可以作为单发射器使用，也可以作为高密度阵列排列，可以在广泛的应用中使用。这包括传感技术、聚合物和树脂的固化、半导体芯片的生产和光通信。在FBH当前的芯片上，阵列的所有紫外线微型LED同时工作。在下一步中，LED像素将通过控制芯片单独寻址。这将允许它们生成并快速调制单个照明图案，例如实现无掩模光刻。
因此，可以在半导体晶片上轻松、快速且经济高效地创建单个结构。高分辨率紫外线辐照图案的能力也在快速成型和荧光分析领域开辟了新的应用。同时，FBH科学家已经将这项技术转移到UVC LED，包括发射波长约为230 nm的极短UVC LED。现在，FBH正在寻找打算在其应用中使用紫外线微发光二极管的合作伙伴，旨在共同推进该技术并充分挖掘该设备的潜力。
通过金属有机气相外延沉积在紫外光谱范围内发射的半导体层结构，然后使用光刻工艺、等离子体蚀刻和沉积方法进行图案化。制作直径在1.5到50之间的小直径紫外线微型发光二极管碌m，间距在2到60之间碌m要求高对准精度、制造精度和材料完善性。
这只能通过使用专门为此应用设计的最先进的平版印刷工艺来实现。需要在2”LED晶片上精确对齐不同工艺层（覆盖控制），精度优于20 nm鈥攕例如蚀刻结构的直径、形状和倾斜角鈥攖通过电子显微镜控制其特性。