两家公司周二宣布，IBM 和三星已经合作开发了一种新的半导体设计，与现有的 finFET 晶体管相比，该设计可以将芯片能耗降低 85%。
新型垂直传输场效应晶体管 (VTFET) 中使用的新型垂直器件架构可使手机电池充电后可持续使用一周而不是几天。数据加密和加密挖掘可能需要更少的能量中国机械网okmao.com。IBM 表示，物联网边缘设备也将需要更少的能源，以扩大其在海洋浮标、航天器和自动驾驶汽车中的使用。
新的 VTFET 方法不是在平坦的半导体上连接晶体管，而是在芯片表面垂直构建晶体管，允许垂直电流流动并允许在给定表面上安装更多晶体管。（晶体管越多，每秒可以处理的计算就越多。）VTFET 方法为晶体管创造了更多的接触点，以实现更大的能量流和更少的浪费。除了减少能源使用外，新设计还意味着 finFET 芯片的性能提高了两倍。
J. Gold Associates 的分析师 Jack Gold 称，该公告对于寻找提高芯片性能同时减少较小封装中的能量泄漏的方法很重要。他比较了建造高层住宅结构与单层设计的变化，
Gold 指出，英特尔还宣布了芯片结构的改变。“虽然 IBM 在研究芯片设计方面一直处于领先地位，而三星是他们很好的合作伙伴，但 IBM/三星在这个领域并不孤单，”他说。“他们需要与英特尔正在做的事情竞争，目前尚不清楚谁将拥有以埃而不是纳米为单位的下一代芯片的最佳晶体管结构。我们将不得不等待，看看芯片问世后会做什么，但这种类型的研究对于摩尔定律的延续无疑是至关重要的。”
两家公司还宣布，三星将在 5 纳米节点上制造 IBM 芯片，用于 IBM 服务器平台。2018 年，他们宣布三星将为 IBM 制造 7 纳米芯片，用于 2021 年早些时候发布的 IBM Power 10 服务器。IBM Telum 处理器也由三星制造。
IBM 最近宣布了一项 2 纳米芯片突破，可在指甲大小的空间内安装 500 亿个晶体管，但 IBM 指出，对于不依赖相同方法来测量尺寸的芯片而言，VTFET 是新方向，例如 2 纳米或 5纳米节点。根据 IBM 在该过程中制作的视频，IBM 已经在 VTFET 工艺上创建了测试芯片并进行了演示