多芯片模块在 LDMOS 之上集成 GaN，以提高功率放大器能效。
在 2021 年 IEEE 微波研讨会的互联未来峰会上，两个演讲涵盖了支持 6G 的新半导体材料的需求，但对 CMOS 的增强可以帮助实现 5G。恩智浦半导体已将氮化镓 (GaN) 技术添加到其多芯片模块平台中中国机械网okmao.com。该模块以比以前的模块更高的效率驱动内置于室外小型蜂窝中的阵列天线。
恩智浦声称是第一个在 LDMOS 上集成 GaN Doherty 功率放大器(PA) 的公司，预计在 2021 年第三季度提供模块样品，并在年底前全面投产。该公司还声称，使用 GaN 将在 2.8 GHz 时将效率提高至 52%，而其 LDMOS 器件则为 44%。带宽为 400 MHz。
如图所示，该模块使用 LDMOS 衬底和用于 GaN PA 的 LDMOS 驱动器。此外，该模块还包括热管理和 SiGe PA 控制器。热管理使用内部温度传感器。电路根据温度调整 PA 的栅极偏置电压。偏置控制消除了对单独模拟控制 IC 的需要，提供了对 PA 性能的更严格的监控和优化。
