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汽车嵌入式闪存被添加到180 nm高压CMOS技术生产线中
2021年04月20日    阅读量:1692     新闻来源:中国机械网 okmao.com    |  投稿

X-FAB Silicon Foundries已为其XP018高压汽车工艺引入了新的闪存功能。这项新的Flash IP利用X-FAB业已广泛验证的氧化硅,氮化硅,氧化硅(SONOS)技术,该技术结合了提高的性能水平和一流的可靠性。完全符合严格的AEC100 0级汽车规范,它可以承受-40°C至175°C的温度范围,并完全支持ISO 26262规定的功能安全等级中国机械网okmao.com

汽车嵌入式闪存被添加到180 nm高压CMOS技术生产线中 中国机械网,okmao.com

它遵循8K x 39位配置和32位数据总线,以32 KB的阵列大小提供。另外还有7位专用于错误代码校正(ECC),从而确保了现场的零缺陷可靠性。还包括X-FAB的专有XSTI嵌入式非易失性存储器(NVM)IP测试接口,以实现对存储器的完全串行访问。


由于该汽车级Flash IP能够在单个1.8 V电源上运行,因此非常适合于低功耗设计。内置的自测(BIST)模块的添加对于实现有效的内存测试以及进行全面的产品调试至关重要。如果需要,X-FAB还可以为客户提供完整的NVM测试服务。


标签:产品资讯机械应用技术中心汽车及配件设备与仪器新能源汽车 配件与设备 工业设备
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