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高频100nF电容器可改善GaN / GaAs放大器的旁路性能
2021年03月03日    阅读量:798     新闻来源:中国机械网 okmao.com    |  投稿

Knowles Precision Devices最近宣布在其V系列单层电容器中发布了一个新的100nF电容器。100nF是一种高频,可引线键合的单层电容器,非常适合于小尺寸和微波性能至关重要的GaN和GaAs放大器应用。

高频100nF电容器可改善GaN / GaAs放大器的旁路性能 中国机械网,okmao.com

V系列单层电容器,包括新的100nF,旨在在更小的占位面积上提供更高的电容中国机械网okmao.com。100nF利用具有X7R特性的II类介电材料在很宽的频率范围内实现DC阻隔和RF旁路。其他用途包括过滤,调整和耦合应用程序。100nF具有X7R温度稳定性,符合RoHS要求,并具有最佳的湿度敏感度(MSL-1)。它具有高电容密度,可以使用导电环氧树脂进行连接,也可以通过AuSn焊料安装。


在射频旁路应用中,100nF有助于消除电源线噪声。需要保护宽带增益的高频单片微波集成电路(MMIC)放大器免受电源线上的RF噪声的影响。电源噪声会与RF信号混合,影响信噪比并可能导致杂散输出。旁路电容器在进入增益级之前为电源线上的RF能量提供了一条通往地面的有效路径。


标签:机械应用技术中心设备与仪器工业设备
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