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APD和SPAD器件现在可提高光子检测性能并增加有效面积
2021年02月06日    阅读量:763    新闻来源:中国机械网 okmao.com  |  投稿

X-FAB Silicon Foundries刚刚推出了最新一代的雪崩光电二极管(APD)和单光子雪崩二极管(SPAD)器件。

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X-FAB凭借其经过验证的符合汽车行业标准的180 nm XH018高压工艺,得益于创新的架构修改,与该公司的早期设备(最早于2019年中期首次宣布)相比,其性能得到了显着改善,从而受益匪浅。 中国机械网okmao.com。因此,它们可用于涉及光照水平挑战的情况。但是,保留了与上一代的足迹兼容性。这意味着可以确保简单方便的升级途径,而无需其他工程工作。


性能提升最明显的领域之一是与光子检测概率(PDP)有关。在405 nm处入射光的PDP数值为42%,而在近红外(NIR)频率范围内的光谱进一步提高时,改善幅度高达150%,在850 nm处显示5%的PDP。已实现0.9%的后脉冲概率,与第一代设备相比,降低了70%。暗计数率(DCR)仅为13个计数/秒/微米。现在可以支持的填充因子(有效的传感器表面积的百分比)几乎翻了一番,达到33%。


由于击穿电压特性可能因器件而异,因此需要进行准确的确定以确保保持良好的APD / SPAD性能。因此,X-FAB集成了一个触发二极管–无需外部光源即可进行精确,实时的片上击穿电压检测。包括有源淬灭电路,通过该电路可以加快SPAD器件的恢复速度,从而为进一步的光检测做好准备。新的SPAD由于其尺寸的灵活性(在宽度和长度方面)提供了更好的应用适应性。SPAD和APD设备的完整设备模型支持首次使用权的设计。该模型包括新的内置触发二极管的性能。


标签:产品资讯技术中心工业机器人配件与装备系统及软件工业设备
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