返回顶部
今日    | 手机版 | 资讯 | 产品 | 企业 | 热点 | 商道 | 原料 |
返回首页
返回首页
home 您现在的位置: 首页 >产品资讯 > 详细信息
交流适配器参考设计使用GaN HEMT可以处理300 W
2020年01月03日    阅读量:1484     新闻来源:中国机械网 okmao.com    |  投稿

 GaN Systems  和ON Semiconductor宣布推出全球最高功率密度的300瓦AC适配器参考设计,该产品使用GaN Systems的650 V,15 A GaN E-HEMT和多个安森美半导体控制器和驱动器IC:NCP51820,  NCP13992,  NCP1616和  NCP4306。

交流适配器参考设计使用GaN HEMT可以处理300 W 中国机械网,okmao.com

完整的系统  参考设计  具有高度的通用性和低成本,使设计人员可以轻松开发适用于HDTV电源,游戏笔记本电脑和游戏机适配器以及工业用超小型电源的各种应用的超高功率密度适配器,并将其推向市场。和医疗设备中国机械网okmao.com


该套件和应用笔记提供了详细的技术信息,包括原理图,PCB布局,BOM(材料清单)文件以及EMI和效率数据。该套件硬件具有完整的PFC,LLC和次级级,并具有符合CoC T2基准的高效同步PFC,高效能的低成本2层设计以及在340 W峰值时具有19 V输出的通用输入。使用这种基于GaN的参考设计的系统设计人员可以达到高达32瓦/立方英寸的功率密度。


“快速开关GaN与我们先进的控制器和驱动器有效协作,优化了系统设计以实现高功率密度,消除了设计障碍,并使设计人员能够利用GaN E-HEMT提供的众多优势,”营销总监Ryan Zahn说。在安森美半导体。“随着人们对GaN的关注度提高和采用,我们期待与GaN Systems继续合作,以支持并满足许多行业中出现的新功率要求。”


标签:产品资讯机械应用人工智能机器人设备与仪器配件与装备工业设备
免责声明: 本文仅代表作者本人观点,与本网无关。本网对文中陈述、观点判断保持中立,不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考,并请自行承担全部责任。本网转载自其它媒体的信息,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。如因作品内容、版权和其它问题需要同本网联系的,请在一周内进行,以便我们及时处理。客服邮箱:service@cnso360.com | 客服QQ:23341571

全站地图

深圳网络警察报警平台 深圳网络警
察报警平台

公共信息安全网络监察 公共信息安
全网络监察

经营性网站备案信息 经营性网站
备案信息

中国互联网举报中心 中国互联网
举报中心

中国文明网传播文明 中国文明网
传播文明

深圳市市场监督管理局企业主体身份公示 工商网监
电子标识