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Rambus在TSMS处理技术上增加了GDDR6内存,中国机械网,okmao.com
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Rambus在TSMS处理技术上增加了GDDR6内存
2019年09月24日    阅读量:663    新闻来源:中国机械网 okmao.com  |  投稿

Rambus Inc.  宣布采用台积电行业领先的N7工艺技术的下一代应用的高速存储器和SerDes PHY产品组合。半导体IP公司现在提供  GDDR6,  HBM2  和  112G LR PHY  IP可供许可。这些解决方案使数据中心,网络,无线5G,HPC,ADAS,AI和ML的苛刻应用成为可能中国机械网okmao.com


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作为Rambus最快的离散存储器接口,GDDR6存储器PHY通过台积电IP联盟计划(台积电开放式创新平台(OIP)的关键组件),为台积电提供了硅验证的知识产权(IP),设计工具和参考流程最全面的产品组合。  )。与HBM2和112G LR SerDes PHY一起,Rambus还为广泛的高性能应用提供了存储器和串行链路接口。


台积电设计基础设施管理部高级总监Suk Lee在一份声明中说:“ TSMC OIP联盟合作伙伴将继续提供创新的解决方案,以满足由AI和下一代网络驱动的对计算能力的巨大需求。” “我们很高兴在台积电行业领先的N7处理技术上使用Rambus的高速存储器和SerDes接口解决方案,以满足客户对最苛刻应用程序的需求。”


随着内存带宽对整体系统性能变得越来越重要,GDDR6和HBM2扩展了传统的GPU和图形应用程序之外的范围,满足了AI / ML,ADAS和网络等多种高级应用程序的市场需求。随着行业迅速过渡到400和800GbE通信系统,112G LR是满足不断增长的对数据中心和网络应用中对更大带宽的需求所必需的关键构建块。


Rambus可提供Rambus GDDR6和HBM2存储器PHY以及112G LR SerDes PHY,用于许可并集成到片上系统(SoC)设计中。


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